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MBE源

對于MBE領域的應用，我們提供多種不同的高純金屬材料及其化合物，同時也提供先進的技術支持，包括半導體摻雜、熱沉積，真空鍍膜，MOCVD等。

我們可提供高純度（MBE級(ji)）金(jin)(jin)屬作為各種(zhong)形狀的(de)MBE的(de)外延源(yuan)，并作為生長(chang)GaAs、InP、InSb、GaSb、CdTe、CdTe和(he)CdZnTe晶(jing)體(ti)的(de)源(yuan)金(jin)(jin)屬，以及摻雜和(he)其他源(yuan)材料。


鋁Al

鋁Al

制造半導體器件金屬化層(薄膜)。
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砷As

砷As

高純砷被廣泛應用于制備化合物半導體，如砷化鎵、砷化銦等，也是半導體材料鍺和硅的摻雜元素，這些材料被用于制造二極管、發光二極管、紅外線發射器、激光器等器件。此外，砷的化合物還用于防腐劑、染料和醫藥等領域。
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硼B

硼B

硼元素是半導體中常用的p型雜質元素，它能夠對半導體的導電性能和晶體結構產生顯著的影響，廣泛應用于泛半導體行業；用作半導體材料硅的摻雜劑。
鈹Be

鈹Be

應用于泛半導體行業；作為分子束外延用源材料。
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鎵Ga

鎵Ga

分子束外延(MBE)的鎵源；制備半導體材料。制造激光二極管和太陽能電池。
紅磷P

紅磷P

用于制備半導體化合物如磷化銦（lnP）、磷化鎵（GaP）等及半導體襯底/外延材料摻雜試劑。
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銦In

銦In

用于分子束外延用源材料、半導體材料摻雜源、制備ITO靶材。
銻Sb

銻Sb

用于制備高純合金、紅外材料；太陽能電池P型材料，N型硅單晶的摻雜源。
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