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襯底

我(wo)們采?先(xian)進(jin)的?精度線(xian)切割設(she)備和(he)?平?度研磨拋光設(she)備，通過CMP拋光、清洗(xi)和(he)包(bao)裝等?藝為外延?產(chan)商提供(gong)?品質的EPI-Ready襯底，這些(xie)產(chan)品在光電器(qi)件、射頻器(qi)件和(he)功率器(qi)件領域(yu)都具有?泛的應(ying)?。 

砷化鎵襯底

砷化鎵（GaAs）是一種性能優良的半導體材料，具有直接帶隙、電子遷移率高、高頻低噪聲、轉換效率高等特點。我們可提供使用VGF法生長的的1-8英寸的砷化鎵襯底，包括半絕緣砷化鎵襯底（非摻）和半導體砷化鎵襯底（摻Si、摻Zn）。

應用與領域:砷化鎵襯底廣泛應用于紅黃光LED和顯示產品中，隨著Mini LED、Micro LED的發展， AR/VR領域也會有越來越多使用砷化鎵襯底。以半絕緣砷化鎵襯底生產的射頻器件，廣泛應用于無線通訊領域，包括無線網絡(WLAN)、手機通訊、4G/5G基站、衛星通訊、WiFi通訊等。砷化鎵太陽能電池板具有更高的轉化效率，目前廣泛應用于無人機、太陽能汽車領域等。

砷化鎵襯底GaAs-CN

砷化鎵襯底GaAs-EN

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磷化銦襯底

磷化銦（InP）是重要的III-V族化合物半導體之一，具有電子遷移率高、耐輻射性能好、禁帶寬度大等優點。我們可提供使用VGF法生長2-6 英寸磷化銦(InP)襯底，包括半絕緣InP襯底（摻Fe）和半導體InP襯底（摻Si或摻Zn），以及用于特定用途的低位錯InP襯底。

應用與領域:磷化銦在光電器件方面具有很好的性能，常被用于制造高速光通信器件，如激光器、光電二極管和光放大器等。此外，磷化銦還可以用來制造高頻器件，如太赫茲波段的探測器和射頻電子學領域的倍頻器等。由于其高的光電轉換效率和較好的耐輻照性能，磷化銦被廣泛應用于太陽能電池的制造中。磷化銦太陽能電池具有高轉換效率照強度變化響應迅速、光譜響應范圍廣等勢，能夠在弱光條件下保持較高的效能，在太陽能電池的應用中具有重要的地位。

磷化銦襯底Inp-CN

磷化銦襯底Inp-EN

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鍺襯底

鍺單晶片是重要的半導體襯底材料，有著良好的半導體性質，如電子遷移率、空穴遷移率等。我們可提供直徑為2-8英寸的低位錯或零位錯鍺（Ge）襯底，其電阻率在0.005 Ω?cm～50Ω?cm范圍。

應用與領域：高質量的襯底主要被用于聚光光伏電站（CPV）、空間太陽能電池板和超高亮度LED等領域。鍺基太陽能電池具有空間抗輻射、耐高溫、高光電轉換效率等特點，在人造衛星、太空站、太空探測器和登陸探測器等應用領域具有很強的優勢，可有效提高太陽能電池的壽命，進而延長人造衛星的工作壽命。